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SI9435BDY-T1-E3-HXY

P沟道耐压:30V 电流:9A

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描述: SI9435BDY-T1-E3 是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，适用于各种电子设备的高效设计。器件支持30V的漏源电压(VDSS)，能够承载6A的连续漏极电流(ID)，并具备低至28mΩ的导通电阻(RD(on))，确保在开关应用中达到低功耗和高效能。广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护系统等领域，是提升系统性能和节能效果的理想半导体组件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SI9435BDY-T1-E3-HXY
商品编号: C22366821
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.112667克(g)

商品参数

SI7848BDP-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。