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SI9435BDY-T1-E3-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI9435BDY-T1-E3-HXY

P沟道 耐压:30V 电流:9A

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描述
SI9435BDY-T1-E3 是一款P沟道MOSFET,采用紧凑型SOP-8封装,适用于各种电子设备的高效设计。器件支持30V的漏源电压(VDSS),能够承载6A的连续漏极电流(ID),并具备低至28mΩ的导通电阻(RD(on)),确保在开关应用中达到低功耗和高效能。广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护系统等领域,是提升系统性能和节能效果的理想半导体组件。
商品型号
SI9435BDY-T1-E3-HXY
商品编号
C22366821
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.112667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)18nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.175nF
反向传输电容(Crss)190pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)195pF

数据手册PDF