AO4405-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- AO4405 是一款高性能P沟道MOSFET,采用经济高效的SOP-8封装,适用于各类电路设计。器件具备30V的漏源电压(VDSS),能够提供6A的连续漏极电流(ID),并以其低至28mΩ的导通电阻(RD(on)),在高电流应用中展现出优秀的能效和低损耗特性。广泛应用于电源开关、负载切换、电池保护系统等场景,是优化系统性能的理想半导体元件。
- 商品型号
- AO4405-HXY
- 商品编号
- C22366820
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 1.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品概述
ZXMN3A04DN8采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 8.5A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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