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AO4405-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AO4405-HXY

1个P沟道 耐压:30V 电流:6A

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描述
AO4405 是一款高性能P沟道MOSFET,采用经济高效的SOP-8封装,适用于各类电路设计。器件具备30V的漏源电压(VDSS),能够提供6A的连续漏极电流(ID),并以其低至28mΩ的导通电阻(RD(on)),在高电流应用中展现出优秀的能效和低损耗特性。广泛应用于电源开关、负载切换、电池保护系统等场景,是优化系统性能的理想半导体元件。
商品型号
AO4405-HXY
商品编号
C22366820
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.112667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
输入电容(Ciss)1.69nF
反向传输电容(Crss)190pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)195pF

商品概述

ZXMN3A04DN8采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 8.5A
  • 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 18mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF