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SI4431CDY-T1-GE3-HXY
耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- SI4431CDY-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，适用于空间有限的电路设计。该器件具有30V的漏源电压(VDSS)，可处理6A的连续漏极电流(ID)，并以其低至28mΩ的导通电阻(RD(on))，在同类产品中展现出优越的能效与低损耗性能。广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等方面，是提升系统整体效能的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- SI4431CDY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366819
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品概述
IRLR6225采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 80 A
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 5 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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