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SI4431CDY-T1-E3-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- SI4431CDY-T1-E3 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型SOP-8封装，专为紧凑型电路设计。器件支持30V的漏源电压(VDSS)，能承载最大6A的连续漏极电流(ID)，并且具备低至28mΩ的导通电阻(RD(on))，确保在开关应用中实现低损耗和高效能。广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护等领域，是优化系统性能的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- SI4431CDY-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22366818
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品概述
IRF7406PBF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -9A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 20mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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