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SQ4470EY-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流10A，适用于中等电流需求场景。电压为60V，可在较高电压环境下稳定工作。内阻典型值10mR，能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
- 商品型号
- SQ4470EY-HXY
- 商品编号
- C22366817
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128141克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 229pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SQ4470EY采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 (VDS) = 60V，漏极电流 (ID) = 10A
- 栅源电压 (VGS) = 10V时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) < 13mΩ
- 栅源电压 (VGS) = 4.5V时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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