温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQ4470EY-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:10A
- 描述
- 此场效应管为N型，电流10A，适用于中等电流需求场景。电压为60V，可在较高电压环境下稳定工作。内阻典型值10mR，能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
- 商品型号
- SQ4470EY-HXY
- 商品编号
- C22366817
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128141克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.64W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 141pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SQ4470EY采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- V D S = 60V,I D = 10A
- 在 V G S = 10V 时,R D S (O N) < 13mΩ
- 在 V G S = 4.5V 时,R D S (O N) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SI4431CDY-T1-E3-HXY
- AO4405-HXY
- SI9435BDY-T1-E3-HXY
- IRF7406PBF-HXY
- STP4435-HXY
- CSD25402Q3A-HXY
- SI7615CDN-T1-GE3-HXY
- DMP3010LK3-HXY
- AOD21357-HXY
- AOD4186-HXY
- FDD8447L-F085-HXY
- SM4186T9RL-HXY
- NVMFS5C468N-HXY
- ZVN3310F-HXY
- MDV3604URH-HXY
- SM454AT9RL-HXY
- NCV8403A-HXY
- SI7218DN-T1-E3-HXY
- SI7850DP-T1-GE3-HXY
- BUK9M85-60EX-HXY
- SM4447APRL-HXY
- SI4431CDY-T1-E3-HXY
- AO4405-HXY
- SI9435BDY-T1-E3-HXY
- IRF7406PBF-HXY
- STP4435-HXY
- CSD25402Q3A-HXY
- SI7615CDN-T1-GE3-HXY
- DMP3010LK3-HXY
- AOD21357-HXY
- AOD4186-HXY
- FDD8447L-F085-HXY
- SM4186T9RL-HXY
- NVMFS5C468N-HXY
- ZVN3310F-HXY
- MDV3604URH-HXY
- SM454AT9RL-HXY
- NCV8403A-HXY
- SI7218DN-T1-E3-HXY
- SI7850DP-T1-GE3-HXY
- BUK9M85-60EX-HXY
- SM4447APRL-HXY