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DMT69M8LSS-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流为10A，可满足一定功率需求。电压达60V，适应较高电压环境。内阻典型值10mR，较低内阻可减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中，确保稳定运行。
- 商品型号
- DMT69M8LSS-HXY
- 商品编号
- C22366816
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO4405采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 30V，ID = - 9A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 20mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SOP - 8封装
- P沟道MOSFET
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