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DMT3020LSD-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- 此场效应管为N+N型，电流为8.5A，可满足一定程度的电流需求。电压30V，适应多种常规电路环境。内阻典型值15mR，有助于降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可在一些中小功率的电子设备中发挥稳定电流、调节电压的作用。
- 商品型号
- DMT3020LSD-HXY
- 商品编号
- C22366809
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.121克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
SM6442D1RL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V，ID = 70 A
- RDS(ON) < 8.5 mΩ（VGS = 10 V时）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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