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AOD424G-HXY

1个N沟道耐压:20V 电流:80A

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描述: AOD424G 是一款高性能N沟道MOSFET，采用常见的TO-252-2L封装，适用于各种中高功率电子设备。该器件具备20V的漏源电压(VDSS)，可承载高达80A的连续漏极电流(ID)，并在导通状态下展现卓越的低电阻特性，仅3.5mΩ(RD(on))，有效降低系统损耗，提高能效。广泛应用在电源转换、电机驱动控制、大电流开关等领域，是提升系统性能和节能性的理想半导体元件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AOD424G-HXY
商品编号: C22366814
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.365克(g)

商品参数

AOD424G采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。