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FDN5618P-HXY
1个P沟道 耐压:60V 电流:2A
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- 描述
- FDN5618P 是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，适用于空间有限的设计项目。该器件提供高达60V的漏源电压(VDSS)，能够支持1.6A的连续漏极电流(ID)，并且具备140mΩ的导通电阻(RD(on))，在低电压应用中展现卓越性能。广泛应用于电源开关、负载切换、逻辑电平转换等功能模块，是您构建高效、可靠电路的理想选择。
- 商品型号
- FDN5618P-HXY
- 商品编号
- C22366812
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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