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AOD424-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AOD424-HXY

1个N沟道 耐压:20V 电流:80A

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描述
AOD424 是一款N沟道MOSFET,采用标准TO-252-2L封装,适用于各类中高功率应用。器件拥有20V的漏源电压(VDSS),并能安全处理高达80A的连续漏极电流(ID),而其出色的导通电阻仅为3.5mΩ(RD(on)),确保在高电流条件下的低损耗与高效能表现。广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等场景,是提升系统性能的关键半导体组件。
商品型号
AOD424-HXY
商品编号
C22366813
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.3655克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))3.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)70W
阈值电压(Vgs(th))750mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)27nC@10V
输入电容(Ciss)2nF
反向传输电容(Crss)200pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)500pF

数据手册PDF