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AOD424-HXY

1个N沟道耐压:20V 电流:80A

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描述: AOD424 是一款N沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，适用于各类中高功率应用。器件拥有20V的漏源电压(VDSS)，并能安全处理高达80A的连续漏极电流(ID)，而其出色的导通电阻仅为3.5mΩ(RD(on))，确保在高电流条件下的低损耗与高效能表现。广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等场景，是提升系统性能的关键半导体组件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AOD424-HXY
商品编号: C22366813
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.3655克(g)

商品参数

AOD424采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并可在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。