AOD424-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:80A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- AOD424 是一款N沟道MOSFET,采用标准TO-252-2L封装,适用于各类中高功率应用。器件拥有20V的漏源电压(VDSS),并能安全处理高达80A的连续漏极电流(ID),而其出色的导通电阻仅为3.5mΩ(RD(on)),确保在高电流条件下的低损耗与高效能表现。广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等场景,是提升系统性能的关键半导体组件。
- 商品型号
- AOD424-HXY
- 商品编号
- C22366813
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3655克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
- AOD424G-HXY
- IRLR6225-HXY
- DMT69M8LSS-HXY
- SQ4470EY-HXY
- SI4431CDY-T1-E3-HXY
- SI4431CDY-T1-GE3-HXY
- AO4405-HXY
- SI9435BDY-T1-E3-HXY
- SM4411PRL-HXY
- DMP3056LSS-HXY
- IRF7406PBF-HXY
- STP4435-HXY
- CSD25402Q3A-HXY
- SI7613DN-T1-GE3-HXY
- SI7615CDN-T1-GE3-HXY
- SI7123DN-T1-GE3-HXY
- FDMC510P-HXY
- DMP3010LK3-HXY
- AOD21357-HXY
- IPD80P03P4L-07-HXY
- AOD4186-HXY
- AOD424G-HXY
- IRLR6225-HXY
- DMT69M8LSS-HXY
- SQ4470EY-HXY
- SI4431CDY-T1-E3-HXY
- SI4431CDY-T1-GE3-HXY
- AO4405-HXY
- SI9435BDY-T1-E3-HXY
- SM4411PRL-HXY
- DMP3056LSS-HXY
- IRF7406PBF-HXY
- STP4435-HXY
- CSD25402Q3A-HXY
- SI7613DN-T1-GE3-HXY
- SI7615CDN-T1-GE3-HXY
- SI7123DN-T1-GE3-HXY
- FDMC510P-HXY
- DMP3010LK3-HXY
- AOD21357-HXY
- IPD80P03P4L-07-HXY
- AOD4186-HXY


