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IRL6372PBF-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- IRL6372PbF 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用经典SOP-8封装形式，适用于广泛的电路设计需求。器件特点在于30V的漏源电压(VDSS)，能够承载10A的连续漏极电流(ID)，并且其低至14mΩ的导通电阻(RD(on))有效保障了在高电流应用下的低功耗与高效能。广泛运用于电源转换、负载切换、电机驱动等相关领域，是优化系统性能的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- IRL6372PBF-HXY
- 商品编号
- C22366810
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.123克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |