温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRL6372PBF-HXY

2个N沟道耐压:30V 电流:8.5A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: IRL6372PbF 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用经典SOP-8封装形式，适用于广泛的电路设计需求。器件特点在于30V的漏源电压(VDSS)，能够承载10A的连续漏极电流(ID)，并且其低至14mΩ的导通电阻(RD(on))有效保障了在高电流应用下的低功耗与高效能。广泛运用于电源转换、负载切换、电机驱动等相关领域，是优化系统性能的理想半导体元件选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRL6372PBF-HXY
商品编号: C22366810
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.123克(g)

商品参数

DMT3020LSD采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。