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ZXMN3A04DN8-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- 此场效应管为N+N型，电流8.5A，可在一定功率范围内工作。电压30V，适应多种常见电路环境。内阻典型值15mR，能减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中，确保稳定运行。
- 商品型号
- ZXMN3A04DN8-HXY
- 商品编号
- C22366811
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1205克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NVMFS5C466N采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V
- ID = 55 A
- RDS(ON) < 8.5mΩ (VGS = 10V)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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