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MGSF2N02ELT1G

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    此类小型表面贴装 MOSFET 的低 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能,使得这些器件适用于空间敏感型电源管理电路。

  • 品牌名称onsemi(安森美)
  • 商品型号

    MGSF2N02ELT1G
  • 商品编号

    C236232
  • 商品封装

    SOT-23-3
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.016克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)85mΩ@4.5V,3.6A
功率(Pd)1.25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)3.5nC@4.0V
输入电容(Ciss@Vds)150pF@5.0V
反向传输电容(Crss@Vds)45pF@5.0V
工作温度-55℃~+150℃

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