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MGSF2N02ELT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A
- 描述
- 此类小型表面贴装 MOSFET 的低 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得这些器件适用于空间敏感型电源管理电路。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MGSF2N02ELT1G
- 商品编号
- C236232
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.016克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@4.0V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
MEM2306SG系列双N沟道增强型场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟槽技术制造，特别用于最小化导通电阻。该器件特别适用于低电压应用和低功耗场景。
商品特性
- 20V/5A
- 漏源导通电阻RDS(ON) = 29 mΩ，栅源电压VGS = 3.85 V，漏极电流ID = 5 A
- 超高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 表面贴装封装：SOP8
应用领域
- 电池管理
- 电源管理
- 便携式设备
- 低功耗DC-DC转换器
- 负载开关
- LCD适配器