MGSF2N02ELT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A
- SMT扩展库
- 嘉立创SMT补贴
描述
此类小型表面贴装 MOSFET 的低 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能,使得这些器件适用于空间敏感型电源管理电路。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
MGSF2N02ELT1G商品编号
C236232商品封装
SOT-23-3包装方式
编带
商品毛重
0.016克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@4.5V,3.6A | |
功率(Pd) | 1.25W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.5nC@4.0V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 150pF@5.0V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 45pF@5.0V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
嘉立创贴片惊喜价格立即查看
梯度
售价
折合1圆盘
1+¥1.5278
10+¥1.2272
30+¥1.0984
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
24
江苏仓
0
SMT仓
24
购买数量(3000个/圆盘,最小起订量 1 个 )
个
起订量:1 个3000个/圆盘
近期成交3单
精选推荐