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MGSF2N02ELT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A
- 描述
- 此类小型表面贴装 MOSFET 的低 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得这些器件适用于空间敏感型电源管理电路。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MGSF2N02ELT1G
- 商品编号
- C236232
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.016克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
MEM2306SG系列双N沟道增强型场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟槽技术制造，特别用于最小化导通电阻。该器件特别适用于低电压应用和低功耗场景。
商品特性
- 低 RDS(ON) 可提高效率并延长电池寿命
- 微型SOT - 23表面贴装封装可节省电路板空间
- 规定了高温下的 IDSS
- AEC Q101认证且支持生产件批准程序(PPAP) - MVSF2N02EL
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-DC-DC转换器-便携式和电池供电产品的电源管理,如:计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话