温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MGSF1N03LT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此类小型表面贴装 MOSFET 的低 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得这些器件适用于空间敏感型电源管理电路。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MGSF1N03LT1G
- 商品编号
- C236231
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 145mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 690mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 140pF@5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低漏源导通电阻（RDS(on)），可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷（QG）和电容，可将驱动损耗降至最低
- 这些器件为无铅产品，符合 RoHS 标准