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NVR4003NT3G
1个N沟道 耐压:30V 电流:0.56A
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- 描述
- 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。 30V，560mA，1.5Ω，单 N 沟道，SOT-23。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具有 PPAP 能力，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVR4003NT3G
- 商品编号
- C236216
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 560mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 830mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.15nC@5.0V | |
| 输入电容(Ciss) | 42pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品特性
- 低栅极电压阈值（VGS(TH)），便于驱动电路设计
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 栅极具备静电放电保护
- SOT - 23封装提供出色的热性能
- 最小击穿电压额定值为30 V
- NVR前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
应用领域
- 笔记本电脑：
- 电平转换器
- 逻辑开关
- 低端负载开关
- 便携式应用