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SZMMBZ15VDLT1G
SZMMBZ15VDLT1G
- 描述
- 这些双路单片硅齐纳二极管适用于需要瞬变过电压保护功能的应用。此类器件适用于电压和 ESD 灵敏设备中，如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阴极设计仅使用一个封装即可保护两个单独的线路。此类器件适用于板空间非常宝贵的情况。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SZMMBZ15VDLT1G
- 商品编号
- C236223
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 12.8V | |
| 钳位电压 | 21.2V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 1.9A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 40W@1.0ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 15V | |
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 双路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD |
商品概述
这些双片式齐纳二极管专为需要保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阴极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
商品特性
- SOT−23封装可实现两种独立的单向配置或一种双向配置
- 标准齐纳击穿电压范围：15 V、27 V、39 V
- 峰值功率：在1.0 ms（双向）时为40 W，参见图5波形
- 人体模型下静电放电等级为3B级（超过16 kV）
- IEC61000−4−2标准4级静电放电等级，±30 kV接触放电
- 低泄漏电流<100 nA
- 可燃性等级：UL 94 V−O
- 汽车及其他需要特定产地和控制变更要求的应用采用SZ前缀；符合AEC−Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件为无铅产品