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NTRV4101PT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.2A
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- 描述
- 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。-20V，-3.2A，85 mΩ，单 P 沟道，SOT23。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTRV4101PT1G
- 商品编号
- C236215
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 112mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 675pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品特性
- 采用-20 V先导沟槽技术，实现低导通电阻RDS(on)
- 额定值为 -1.8 V，适用于低电压栅极驱动
- 采用SOT-23表面贴装封装，占用空间小
- 型号以NTRV开头，适用于汽车及其他有特殊产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准
应用领域
- 便携式设备的负载/电源管理
- 计算机的负载/电源管理
- 充电电路和电池保护