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NTRV4101PT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.8A
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描述
适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。-20V，-3.2A，85 mΩ，单 P 沟道，SOT23。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
NTRV4101PT1G商品编号
C236215商品封装
SOT-23-3包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@1.6A,4.5V | |
| 功率(Pd) | 420mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 675pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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