温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MGSF1N02LT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:750mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MGSF1N02LT1G
- 商品编号
- C236202
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 125pF@5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
GT120N10采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 出色的栅极电荷×漏源导通电阻（RDS(on)）乘积
- 极低的导通电阻（RDS(on)）
- 工作温度达175°C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行UIS测试
应用领域
- DC/DC转换器
- 非常适合高频开关和同步整流