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NTZS3151PT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:860mA
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- 描述
- 这是一款 20 V P 沟道功率 MOSFET。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTZS3151PT1G
- 商品编号
- C236118
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 860mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 210mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 458pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 低导通电阻(RDS(on)),提高系统效率
- 低阈值电压
- 小尺寸封装,1.6 × 1.6 mm
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准
应用领域
- 负载/电源开关
- 电池管理
- 手机、数码相机、个人数字助理(PDA)、寻呼机等