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NTZD3155CT1G
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:540mA
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- 描述
- 特性：领先的沟槽技术，实现低导通电阻（RDS(on)）性能。 高效的系统性能。 低阈值电压。 静电放电（ESD）保护栅极。 小尺寸封装，尺寸为 1.6×1.6mm。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换电路。 带电平转换的负载/电源开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTZD3155CT1G
- 商品编号
- C236117
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 540mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 175pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品特性
- 采用领先的沟槽技术，实现低RDS(on)性能
- 具备高效系统性能
- 低阈值电压
- 栅极具备ESD保护
- 封装尺寸小，仅1.6 × 1.6 mm
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换电路-带电平转换的负载/电源开关-单节或双节锂离子电池供电系统-高速电路-手机、MP3、数码相机和个人数字助理(PDA)