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NTR4170NT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.1A
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- 描述
- 这是一款 30 V N 沟道功率 MOSFET。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTR4170NT1G
- 商品编号
- C236116
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.76nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 432pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37.1pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低导通电阻（RDS(on)）
- 低栅极电荷
- 低阈值电压
- 无卤化物
- 这是一款无铅器件
应用领域
- 便携式设备电源转换器
- 电池管理
- 负载/电源开关