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NTJD4105CT1G

环保标识
  • 1个N沟道+1个P沟道 耐压:8V 耐压:20V 电流:630mA 电流:775mA

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    此互补双器件使用小封装 (2 x 2 mm) 和低 RDS(on) MOSFET,可实现最小占位,提高电路能效。 低 RDS(on) 性能特别适用于单锂离子电池或双电池锂离子电池供电设备,例如手机、媒体播放器、数码相机和 PDA。

  • 品牌名称onsemi(安森美)
  • 商品型号

    NTJD4105CT1G
  • 商品编号

    C236115
  • 商品封装

    SC-88-6
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.029克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V;8V
连续漏极电流(Id)630mA;775mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)375mΩ@630mA,4.5V
属性参数值
功率(Pd)270mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)3nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)46pF@20V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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