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NTJD4105CT1G
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:0.91A
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- 描述
- 此互补双器件使用小封装 (2 x 2 mm) 和低 RDS(on) MOSFET，可实现最小占位，提高电路能效。 低 RDS(on) 性能特别适用于单锂离子电池或双电池锂离子电池供电设备，例如手机、媒体播放器、数码相机和 PDA。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTJD4105CT1G
- 商品编号
- C236115
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 910mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 550mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 225pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品特性
- 互补N沟道和P沟道器件
- 领先的-8.0V沟槽结构，实现低导通电阻（RDS(on)）性能
- 静电放电（ESD）保护栅极 - ESD等级：1类
- SC-88封装，占用空间小（2 x 2 mm）
- 提供无铅封装
应用领域
- 直流 - 直流转换
- 负载/电源开关
- 单节或双节锂离子电池供电设备
- 手机、MP3、数码相机、个人数字助理（PDA）