NTJD4105CT1G
1个N沟道+1个P沟道 耐压:8V 耐压:20V 电流:630mA 电流:775mA
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描述
此互补双器件使用小封装 (2 x 2 mm) 和低 RDS(on) MOSFET,可实现最小占位,提高电路能效。 低 RDS(on) 性能特别适用于单锂离子电池或双电池锂离子电池供电设备,例如手机、媒体播放器、数码相机和 PDA。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
NTJD4105CT1G商品编号
C236115商品封装
SC-88-6包装方式
编带
商品毛重
0.029克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V;8V | |
连续漏极电流(Id) | 630mA;775mA | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 375mΩ@630mA,4.5V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 270mW | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 46pF@20V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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