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NTJD1155LT1G
1个N沟道+1个P沟道 耐压:8V 电流:1.3A
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- 描述
- NTJD1155L 在一个封装中集成了 P 沟道和 N 沟道 MOSFET。 该器件尤其适用于需要低控制信号、低电池电压和高负载电流的便携式电子设备。 该 P 沟道器件专用于使用安森美半导体先进沟槽技术的负载开关。 该 N 沟道与外部电阻 (R1) 一起用作电平移位，驱动 P 沟道。 该 N 沟道 MOSFET 具有内部 ESD 保护，可由低至 1.5 V 的逻辑信号驱动。 NTJD1155L 基于 1.8 至 8.0 V 的电源线运行，对 VIN 和 VON/OFF 应用 8.0 V 时可驱动最高 1.3 A 的负载。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTJD1155LT1G
- 商品编号
- C236114
- 商品封装
- SC-88
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
NTJD1155L 在单个封装中集成了一个 P 沟道和一个 N 沟道 MOSFET。该器件特别适用于需要低控制信号、低电池电压和高负载电流的便携式电子设备。P 沟道器件采用先进的沟槽技术专门设计为负载开关。N 沟道与外部电阻器（R1）配合，用作电平转换以驱动 P 沟道。N 沟道 MOSFET 具有内部 ESD 保护，可由低至 1.5V 的逻辑信号驱动。NTJD1155L 在 1.8 至 8.0V 的电源线上工作，当 V_IN 和 V_ON/OFF 均施加 8.0V 电压时，可驱动高达 1.3A 的负载。
商品特性
- 极低 RDS(on) 的 P 沟道负载开关 MOSFET
- 电平转换 MOSFET 具有 ESD 保护
- 薄型、小尺寸封装
- V_IN 范围为 1.8 至 8.0V
- ON/OFF 范围为 1.5 至 8.0V
- 这些器件无铅且符合 RoHS 标准