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FDD86540
1个N沟道 耐压:60V 电流:21.5A 电流:50A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 rDS(on)、快速开关和体二极管反向恢复性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD86540
- 商品编号
- C903594
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.484克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 127W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.34nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
商品概述
UniFET™ II MOSFET基于先进的平面条纹和DMOS技术。这一先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，同时还具备卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET™ II MOSFET能够承受超过2kV的HBM浪涌应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- RDS(on) = 1.38 Ω（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 2 A
- 低栅极电荷（典型值9 nC）
- 低Crss（典型值4 pF）
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 增强的ESD能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- LCD/LED/PDP电视-照明-不间断电源