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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDD86567-F085

1个N沟道 耐压:60V 电流:100A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:典型导通电阻RDS(on)=2.6mΩ(VGS = 10V,ID = 80A)。 典型总栅极电荷Qg(tot)=63nC(VGS = 10V,ID = 80A)。 具备UIS能力。 符合RoHS标准。 通过AEC Q101认证。应用:汽车发动机控制。 动力总成管理
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDD86567-F085
商品编号
C903595
商品封装
DPAK(TO-252)​
包装方式
编带
商品毛重
0.41克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))3.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)227W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)82nC@10V
输入电容(Ciss)4.95nF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 RDS(on) = 2.6 m Ω
  • 在 VGS = 10 , \textV、ID = 80 , \textA 条件下,典型 Qg(\texttot) = 63 , \textnC
  • 具备单脉冲雪崩耐量
  • 符合 RoHS 标准
  • 通过 AEC Q101 认证

应用领域

  • 汽车发动机控制
  • 动力系统管理
  • 电磁阀和电机驱动器
  • 集成式启动发电机
  • 12V 系统主开关

数据手册PDF