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FDS86540
1个N沟道 耐压:60V 电流:18A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专用于提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS86540
- 商品编号
- C903640
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.131克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些双 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 采用仙童半导体公司先进的 PowerTrench® 工艺制造，该工艺经过特别定制，可最大限度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
商品特性
- Q1：N 沟道
- 在 VGS = 10 V、ID = 6.1 A 时，最大 rDS(on) = 26 mΩ
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 5.6 A 时，最大 rDS(on) = 31 mΩ
- Q2：P 沟道
- 在 VGS = -10 V、ID = -5.2 A 时，最大 rDS(on) = 39 mΩ
- 在 VGS = -4.5 V、ID = -4.1 A 时，最大 rDS(on) = 65 mΩ
- 经过 100% 单脉冲雪崩能量（UIL）测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 逆变器
- 电源