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FQD30N06TM
1个N沟道 耐压:60V 电流:22.7A
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- 描述
- 此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD30N06TM
- 商品编号
- C903732
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；44W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 945pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些P沟道逻辑电平MOSFET采用安森美半导体先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别设计，可在尽量降低导通电阻的同时保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。 这些器件非常适合笔记本电脑应用：负载开关和电源管理、电池充电电路以及DC/DC转换。
商品特性
- -6 A，-30 V。VGS = -10 V时，RDS(ON) = 0.032 Ω；VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 0.045 Ω。
- 低栅极电荷（典型值为14.5 nC）。
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)。
- 高功率和电流处理能力。
- SOT - 23
- SuperSOT™ - 6
- SuperSOT™ - 8
- SO - 8
- SOT - 223
- SOIC - 16
应用领域
- 笔记本电脑应用：负载开关和电源管理、电池充电电路以及DC/DC转换