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HUF75321D3ST
1个N沟道 耐压:55V 电流:20A
- 描述
- 此类 N 沟道功率 MOSFET 使用创新的 UltraFET 工艺生产。此先进工艺技术可实现每单位硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池运行产品中的功率管理。之前开发型号 TA75321。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF75321D3ST
- 商品编号
- C903776
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 93W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCP81391/A将MOSFET驱动器、高端MOSFET和低端MOSFET集成到单个封装中。该驱动器和MOSFET针对大电流DC-DC升降压电源转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比，NCP81391/A集成解决方案大大降低了封装寄生效应并节省了电路板空间。
商品特性
- 20A,55V
- 仿真模型
- 温度补偿PSPICE和SABER模型
- 可从网上获取热阻SPICE和SABER模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 单脉冲雪崩耐量(UIS)额定曲线
- TB334《表面贴装元件焊接到印刷电路板的指南》
- 所有产品均在ISO9000和QS9000质量体系认证下进行制造、组装和测试
应用领域
- 开关稳压器
- 开关转换器
- 电机驱动器
- 继电器驱动器
- 低压总线开关
- 便携式和电池供电产品的电源管理