NDT454P
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDT454P
- 商品编号
- C905317
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.323克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
Power SOT P沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用,如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,这些应用需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力。
商品特性
- -5.9A,-30V。VGS = -10V时,RDS(ON) = 0.05Ω
- VGS = -6V时,RDS(ON) = 0.07Ω
- VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 0.09Ω
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 广泛使用的表面贴装封装,具备高功率和电流处理能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 其他电池供电电路