NTMFS4897NFT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:171A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS4897NFT1G
- 商品编号
- C905374
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 171A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 495pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低rDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 内置肖特基二极管
- 优化的栅极电荷,以最小化开关损耗
- 这些是无铅器件
应用领域
-CPU电源供应-DC-DC转换器-低端开关