- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVTJD4001NT2G
NVTJD4001NT2G
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- 描述
- 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。 30V，250mA，1.5Ω，双 N 沟道，SC?88，逻辑电平通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTJD4001NT2G
- 商品编号
- C905379
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 272mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC | |
| 输入电容(Ciss) | 20pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 占位面积小,比TSOP - 6小30%
- 栅极具备ESD保护
- 通过AEC Q101认证 - NVTJD4001N
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 低端负载开关
- 锂离子电池供电设备 - 手机、个人数字助理、数码相机
- 降压转换器
- 电平转换
- SBRA401T3G
- SBRA8160T3G-VF01
- SBRS5641T3G
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- SC1076P065G
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- SCY99192AFCT125T2G
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