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NVTJD4001NT2G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVTJD4001NT2G

NVTJD4001NT2G

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描述
适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。 30V,250mA,1.5Ω,双 N 沟道,SC?88,逻辑电平通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVTJD4001NT2G
商品编号
C905379
包装方式
编带
商品毛重
0.494克(g)

商品参数

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参数完善中

商品特性

  • 低栅极电荷,实现快速开关
  • 占位面积小,比TSOP - 6小30%
  • 栅极具备ESD保护
  • 通过AEC Q101认证 - NVTJD4001N
  • 这些器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

  • 低端负载开关
  • 锂离子电池供电设备 - 手机、个人数字助理、数码相机
  • 降压转换器
  • 电平转换

数据手册PDF