PCFA86561F
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 441A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 429W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用安森美半导体专有的平面条纹DMOS技术制造。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合基于互补半桥的电子灯镇流器。
商品特性
- -2.7 A，-400 V，漏源导通电阻RDS(on)最大值为3.1欧姆，条件为栅源电压VGS等于 -10 V，漏极电流ID等于 -1.35 A
- 低栅极电荷（典型值18 nC）
- 低Crss（典型值11 pF）
- 100%雪崩测试