- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PCFA86561F
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 441A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 429W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 170nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 13.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 255pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.375nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用安森美半导体专有的平面条纹DMOS技术制造。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合基于互补半桥的电子灯镇流器。
商品特性
- 在 VGS = 10 V 时,典型 RDS(on) = 0.75 m Ω
- 在 VGS = 10 V 时,典型 Qg(tot) = 170 nC
- 通过 AEC - Q101 认证,可提供生产件批准程序 (PPAP) 文件
- 符合 RoHS 标准