PCFA86210F
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 169A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大程度降低导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。这些器件非常适合便携式电子设备应用。
商品特性
- 1.2 A，-20 V。栅源电压（VGS）=-4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(on)）= 0.18 Ω
- 栅源电压（VGS）=-2.5 V时，漏源导通电阻（RDS(on)）= 0.25 Ω
- 低栅极电荷（典型值3.3 nC）。
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。
- 紧凑的行业标准SC70-6表面贴装封装。
应用领域
-负载开关-电池保护-电源管理