- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PCFA86210F
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 169A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.805nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 536pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大程度降低导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。这些器件非常适合便携式电子设备应用。
商品特性
- 在 VGS = 10 V 时,典型 RDS(on) = 4.8 mΩ
- 在 VGS= 10 V 时,典型 Qg(tot) = 70 nC
- 通过 AEC - Q101 认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-负载开关-电池保护-电源管理