NTMFS4837NHT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:75A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS4837NHT1G
- 商品编号
- C905373
- 商品封装
- SO-8-FL-5.9mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10~11.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.234nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 243pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件专为手机及其他超便携式应用中的电池充电开关设计，采用单封装解决方案。其特点是集成两个独立的P沟道MOSFET，导通电阻低，可将传导损耗降至最低。采用典型的共源极配置连接时，可实现双向电流流动。 MicroFET 2X2封装在其物理尺寸下具备出色的热性能，非常适合线性模式应用。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷,以最小化开关损耗
- 低栅极电阻RG
- 这些是无铅器件
应用领域
- CPU电源供应
- DC-DC转换器和低端开关