NTNS5K0P021ZTCG
1个P沟道 耐压:20V 电流:127mA
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTNS5K0P021ZTCG
- 商品编号
- C905376
- 商品封装
- X-DFN-3(0.7X0.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 127mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 12.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDMS2D4N03S旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。结合了硅和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，实现了最低的导通电阻rDS(on)。该器件还具备高效的单片肖特基体二极管。
商品特性
- 超薄小封装XDFN3(0.62 x 0.42 x 0.4 mm),适用于空间极度受限的应用
- 1.5 V栅极驱动
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 小信号负载开关
- 高速接口
- 电平转换