SI3457DV
SI3457DV
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI3457DV
- 商品编号
- C905399
- 商品封装
- SSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款P沟道逻辑电平MOSFET采用仙童先进的PowerTrench工艺制造,针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -4 A,-30 V。VGS = -10 V时,RDS(ON) = 50 mΩ
- VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 75 mΩ
- 栅极电荷低
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护