SI3457DV
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- -4 A,-30 V。VGS = -10 V时,RDS(ON) = 50 mΩ
- VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 75 mΩ
- 栅极电荷低
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护