NTMD4820NR2G
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.4A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMD4820NR2G
- 商品编号
- C905372
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低 RDS(on) 以最小化传导损耗
- 低电容以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷以最小化开关损耗
- 双 SOIC-8 表面贴装封装节省电路板空间
应用领域
-磁盘驱动器-直流-直流转换器-打印机