FDG312P
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.2A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG312P
- 商品编号
- C905054
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 750mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造,该工艺经过特别优化,可最大程度降低导通电阻,同时保持较低的栅极电荷,以实现卓越的开关性能。这些器件非常适合便携式电子应用。
商品特性
- 1.2 A,-20 V。在VGS = -4.5 V时,RDS(on) = 0.18 Ω
- 在VGS = -2.5 V时,RDS(on) = 0.25 Ω
- 低栅极电荷(典型值为3.3 nC)。
- 高性能沟槽技术,可实现极低的RDS(ON)。
- 紧凑的行业标准SC70-6表面贴装封装。
应用领域
-负载开关-电池保护-电源管理