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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 750mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFET™ II MOSFET是仙童半导体基于先进的平面条纹和DMOS技术推出的高压MOSFET系列产品。该先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，还具备卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的HBM浪涌应力。通过寿命控制，UniFET II FRFET MOSFET的体二极管反向恢复性能得到了增强。其反向恢复时间（trr）小于100ns，反向dv/dt抗扰度为15V/ns，而普通平面MOSFET的反向恢复时间和反向dv/dt抗扰度分别超过200ns和4.5V/ns。因此，在MOSFET体二极管性能至关重要的某些应用中，它可以减少额外元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 1.2 A,-20 V。在VGS = -4.5 V时,RDS(on) = 0.18 Ω
- 在VGS = -2.5 V时,RDS(on) = 0.25 Ω
- 低栅极电荷(典型值为3.3 nC)。
- 高性能沟槽技术,可实现极低的RDS(ON)。
- 紧凑的行业标准SC70-6表面贴装封装。
应用领域
-负载开关-电池保护-电源管理