FDZ391P
FDZ391P
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ391P
- 商品编号
- C905073
- 商品封装
- WLCSP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
FDZ391P采用先进的1.5 V PowerTrench工艺和最先进的“小间距”超薄晶圆级芯片尺寸封装(Thin WLCSP)工艺设计,最大限度地减少了印刷电路板(PCB)空间和导通电阻rDS(on)。这款先进的WLCSP MOSFET在封装技术上取得了突破,使器件兼具出色的热传导特性、超薄封装、低栅极电荷和低导通电阻rDS(on)。
商品特性
- 在VGS = -4.5 V、ID = -1 A时,最大导通电阻rDS(on) = 85 mΩ
- 在VGS = -2.5 V、ID = -1 A时,最大导通电阻rDS(on) = 123 mΩ
- 在VGS = -1.5 V、ID = -1 A时,最大导通电阻rDS(on) = 200 mΩ
- 仅占用1.5 mm2的PCB面积
- 超薄封装:安装到PCB上时高度小于0.4 mm
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护