商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
CS4953采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至 -4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = -4.5 V、ID = -1 A时,最大导通电阻rDS(on) = 85 mΩ
- 在VGS = -2.5 V、ID = -1 A时,最大导通电阻rDS(on) = 123 mΩ
- 在VGS = -1.5 V、ID = -1 A时,最大导通电阻rDS(on) = 200 mΩ
- 仅占用1.5 mm2的PCB面积
- 超薄封装:安装到PCB上时高度小于0.4 mm
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护