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FDMS3622S
耐压:25V 电流:34A 电流:17.5A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS3622S
- 商品编号
- C905067
- 商品封装
- Power-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.5A；34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.57nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
-沟槽功率低压MOSFET技术-出色的散热封装-高密度单元设计,实现低漏源导通电阻
商品特性
- Q1:N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 17.5 A时,最大rDS(on) = 5.0 m Ω
- 在VGS = 4.5 V、ID = 16 A时,最大rDS(on) = 5.7 m Ω
- Q2:N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 34 A时,最大rDS(on) = 1.4 m Ω
- 在VGS = 4.5 V、ID = 32 A时,最大rDS(on) = 1.6 m Ω
- 低电感封装可缩短上升/下降时间,从而降低开关损耗
- MOSFET集成可实现最佳布局,降低电路电感并减少开关节点振铃
- 符合RoHS标准
应用领域
-计算领域-通信领域-通用负载点应用-笔记本电脑Vcore