FDS6900AS
2个N沟道 耐压:30V 电流:6.9A 电流:8.2A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6900AS
- 商品编号
- C905069
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A；8.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDS6900AS旨在替代同步DC-DC电源中的两个单SO-8 MOSFET和肖特基二极管,该电源为笔记本电脑和其他电池供电的电子设备提供各种外设电压。FDS6900AS包含两个独特的30 V、N沟道、逻辑电平PowerTrench MOSFET,旨在最大限度地提高功率转换效率。 高端开关(Q1)特别注重降低开关损耗,而低端开关(Q2)则经过优化以降低传导损耗。Q2还采用单片SyncFET技术集成了一个肖特基二极管。
商品特性
- Q2:经过优化以最小化传导损耗,包含SyncFET肖特基体二极管,8.2 A、30 V
- VGS = 10 V时,RDS(on) = 22 mΩ
- VGS = 4.5 V时,RDS(on) = 28 mΩ
- Q1:针对低开关损耗进行优化,栅极电荷低(典型值为11 nC),6.9 A、30 V
- VGS = 10 V时,RDS(on) = 27 mΩ
- VGS = 4.5 V时,RDS(on) = 34 mΩ
- 100%进行RG(栅极电阻)测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理