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FDS8984-F085实物图
  • FDS8984-F085商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDS8984-F085

FDS8984-F085

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDS8984-F085
商品编号
C905072
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.22克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)1.6W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-
配置-

商品概述

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻,从而带来出色的性能。该器件能够承受雪崩模式下的高能量,且二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对功率效率要求较高的应用而设计,如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关,以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

  • 最大rDS(on) = 23 mΩ,VGS = 10 V,ID = 7 A
  • 最大rDS(on) = 30 mΩ,VGS = 4.5 V,ID = 6 A
  • 低栅极电荷
  • 100%进行RG测试
  • 符合AEC Q101标准
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 开关稳压器
  • 开关转换器
  • 电机驱动器
  • 继电器驱动器
  • 低压总线开关
  • 便携式和电池供电产品的电源管理

数据手册PDF