FDG410NZ
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 在VGS = 4.5 V、ID = 2.2 A时,最大rDS(on) = 70 mΩ
- 在VGS = 2.5 V、ID = 2.0 A时,最大rDS(on) = 77 mΩ
- 在VGS = 1.8 V、ID = 1.8 A时,最大rDS(on) = 87 mΩ
- 在VGS = 1.5 V、ID = 1.5 A时,最大rDS(on) = 115 mΩ
- 人体模型(HBM)静电放电保护等级 >2 kV
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的rDS(on)
- 高功率和电流处理能力
- 快速开关速度
- 低栅极电荷
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器-电源管理-负载开关