FDFM2P110
FDFM2P110
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDFM2P110
- 商品编号
- C905052
- 商品封装
- TDFN-6-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺针对漏源导通电阻（rDS(on)）、开关性能和耐用性进行了优化。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 2.7 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 105 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 6 V、漏极电流（ID） = 2.1 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 171 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（rDS(on)）
- 广泛使用的表面贴装封装，具备高功率和高电流处理能力
- 100%通过UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流器
- 桥式拓扑的初级开关