FDFM2P110
FDFM2P110
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDFM2P110
- 商品编号
- C905052
- 商品封装
- TDFN-6-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺针对漏源导通电阻（rDS(on)）、开关性能和耐用性进行了优化。
商品特性
- -3.5 A,-20 V,VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 140 m Ω
- VGS = -2.5 V时,RDS(ON) = 200 m Ω
- 新型3x3 mm MicroFET封装,低外形,最大高度0.8 mm
应用领域
-降压-升压电路