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HUF76609D3ST
1个N沟道 耐压:100V 电流:10A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF76609D3ST
- 商品编号
- C903779
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 425pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 超低导通电阻
- rDS(ON) = 0.160 Ω,VGS = 10 V
- rDS(ON) = 0.165 Ω,VGS = 5 V
- 仿真模型
- 温度补偿PSPICE和SABER电气模型
- Spice和SABER热阻模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
- 开关时间与RGS曲线