温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HUF76609D3ST
1个N沟道 耐压:100V 电流:10A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF76609D3ST
- 商品编号
- C903779
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 425pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF@25V | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 导通电阻
- N沟道：RDS(on)1=165mΩ（典型值）
- P沟道：RDS(on)1=230mΩ（典型值）
- 输入电容
- N沟道：Ciss=490pF（典型值）
- P沟道：Ciss=1000pF（典型值）
- 4V驱动
- 无卤合规
- 内置保护二极管