- 引脚图
- 焊盘图
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FDC642P-F085
FDC642P-F085
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC642P-F085
- 商品编号
- C905047
- 商品封装
- SSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.9nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品概述
这些P沟道2.5V特定MOSFET采用安森美半导体先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别定制，可在保持低栅极电荷以实现卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。 这些器件非常适合便携式电子应用：负载开关、电源管理、电池充电和保护电路。
商品特性
- 在 VGS = -4.5 V、ID = -4 A 条件下,典型 RDS(on) = 52.5 mΩ
- 在 VGS = -2.5 V、ID = -3.2 A 条件下,典型 RDS(on) = 75.3 mΩ
- 开关速度快
- 栅极电荷低(典型值为 6.9 nC)
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(on)
- SUPERSOT-6 封装:占用空间小(比标准 SO-8 小 72%);厚度薄(1 mm)
- 通过 AEC-Q101 认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 该器件无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
-负载开关-电池保护-电源管理