FDD8896-F085
1个N沟道 耐压:30V 电流:17A 电流:94A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD8896-F085
- 商品编号
- C905051
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A；94A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- rDS(ON) = 5.7 mΩ,VGS = 10 V,ID = 35 A
- rDS(ON) = 6.8 mΩ,VGS = 4.5 V,ID = 35 A
- 高性能沟槽技术,实现极低的rDS(ON)
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 通过AEC Q101认证
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器