- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDD10AN06A0-F085
FDD10AN06A0-F085
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD10AN06A0-F085
- 商品编号
- C905048
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 135W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.84nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别定制，可将导通电阻降至最低，同时保持卓越的开关性能。 这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
商品特性
- rDS(ON) = 9.4 mΩ(典型值),VGS = 10 V,ID = 50 A
- Qg(tot) = 28 nC(典型值),VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低 Qrr 体二极管
- 具有 UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)
- 符合 AEC Q101 标准
- 符合 RoHS 指令
应用领域
- 电机/车身负载控制
- 防抱死制动系统(ABS)
- 动力总成管理
- 喷射系统
- 直流-直流转换器和离线式不间断电源(UPS)
- 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
- 12V 和 24V 系统的初级开关