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HUF76629D3ST
1个N沟道 耐压:100V 电流:20A
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- 描述
- 特性：典型导通电阻：当VGS = 10V、ID = 20A时，为41mΩ。 典型总栅极电荷：当VGS = 10V、ID = 20A时，为39nC。 具备UIS能力。 符合RoHS标准。 通过AEC Q101认证。应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF76629D3ST
- 商品编号
- C903780
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.285nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 214pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个2500个/圆盘
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