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HUF76407D3ST
1个N沟道 耐压:60V
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- 描述
- 特性：超低导通电阻。 rDS(ON) = 0.092Ω，VGS = 10V。 rDS(ON) = 0.107Ω，VGS = 5V。 仿真模型。 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型。 Spice和SABER热阻抗模型。 峰值电流与脉冲宽度曲线。 UIS额定曲线。 开关时间与RGS曲线
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF76407D3ST
- 商品编号
- C903778
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 92mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用安森美半导体专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 超低导通电阻
- rDS(ON) = 0.092 Ω,VGS = 10 V
- rDS(ON) = 0.107 Ω,VGS = 5 V
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型
- Spice和SABER热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
- 开关时间与RGS曲线
应用领域
- 开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用